国家/地区 美国（201） 韩国（188） 日本（176） 世界知识产权组织（128） 中国（84） 欧洲专利局（EPO）（64） 台湾（38） 印度（14） 德国（10） 俄罗斯（7） 新加坡（7） 西班牙（6） 加拿大（5） 法国（5） 墨西哥（5） 巴西（4） 英国（4） 香港（4） 澳大利亚（2） 以色列（2）
IPC部 C（330） H（330） B（195）
G（32） F（5） A（4）
D（4）
IPC大类 C01（330） H01（330） B82（143）
C23（68） B32（61） B01（47）
B05（31） H05（25） C09（21）
C07（17） C30（16） C08（14）
G01（13） B44（11） C25（9）
IPC小类 C01B（330）
IPC C01B031/02（330）
发明人 CHOI J Y（16） CHOI J（15） SHIN H J（15）
SHIN H（13） SAKAI T（12） YAMAZAKI Y（11）
HONG B H（10） WADA M（10） AHN J（9）
SAITO T（9） KAJITA A（8） KIM S（8）
LEE J（8） SATO S（8） KIM H（7）
公开年 2013（79） 2014（67） 2012（57） 2011（45） 2015（31） 2016（20） 2009（13） 2010（13） 2017（2）
申请年 2011（73）  2013（68）  2012（67）  2010（32）  2014（29）  2009（24）  2015（21）  2008（5）  2016（4）  2007（3） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（39） UNIV SUNGKYU.（22） FUJITSU LTD（18） TOSHIBA KK（18）
UNIV SUNGKYU.（15） DOKURITSU GY.（11） UNIST ACADIN.（9） KOREA ADV IN.（8）
GRAPHENE SQU.（7） KOREA ADVANC.（7） NAT INST ADV.（7） SONY CORP（7）
UNIV SUNGKYU.（7） UNIV TOHOKU（7） KOREA INST S.（6） SAMSUNG TECH.（6）
BASF SE（5） DENSO CORP（5） EMPIRE TECHN.（5） HANWHA TECHW.（5）

Diamagnetism system for e.g., magnetic screening applications comprises metallic foil or substrate having surface that is coated by a metallic layer, another substrate having surface coated by graphene, and a coating of an alkane.

GULIAN A, DULAL R, KAWASHIMA Y, TEKNOWIJOYO S, CHAHID S

Synthesizing reduced graphene oxide comprises selecting carbonaceous material consisting of soot obtained directly from residual soot formed on cooking grills, mixing soot with acid, adding first oxidant, adding second oxidant and isolating.

AWAD M A G, HENDI A A, ORTASHI K M O, LAREF A, MADKHALI N A, ALDAKHIL H A, ALABBAS F Y M, JASSIM L

Preparing inkjet printed graphene ink composition comprises exfoliating graphene with medium, contacting exfoliated graphene medium with aqueous medium to concentrate e.g. graphene and contacting precursor composition with hydrophobic fluid.

HERSAM M C, LIANG Y T, SECOR E B, PRABHUMIRASHI P L, PUNTAMBEKAR K P, GEIER M L, AHN B Y, LEWIS J A

Manufacture of graphene for manufacturing electronic device, involves forming product nucleus of carbon 6-membered ring on substrate surface, forming carbon six-membered ring two-dimensionally around product nucleus to form graphene film.

FUJITA J, MURAKAMI K

Preparation of molybdenum selenide/graphene/carbon nanotube composite material used as e.g. electrode material for lithium ion battery, involves dispersing graphene oxide and acidified carbon nanotubes in water.

LIU T, GAO W, SHI Y, FAN W, LU H, ZUO L, HUANG Y

Manufacture method of semiconductor device, involves forming graphene interconnect by patterning graphene film into which dopant is introduced.

WADA M, YAMAZAKI Y, MIYAZAKI H, KAJITA A, SAITO T, ISOBAYASHI A, ISHIKURA T, KATAGIRI M, SAKAI T

Semiconductor device such as metal oxide semiconductor (MOS) transistor and capacitor, has graphene layer with first graphene layer and is provided on second catalyst region.

SAITO T, KITAMURA M, SAKATA A, WADA M, KAJITA A, SAKAI T

Electronic apparatus such as transistor has hole portions for scattering edge portions of graphene element respectively, with deficient carbon atoms, and metals connected with edge portions of graphene element.

JIPPO H

Graphene wiring structure comprises multilayer graphene and interlayer composites provided between layers of multilayer graphene, such that portion of defect and grain boundary of planar graphene sheet are closed.

SAKAI T, MIYAZAKI H, KATAGIRI M, YAMAZAKI Y

Forming graphene structure, comprises forming body with protrusion and forming graphene layer at protrusion outer peripheral surface, or forming cylindrical opening in body and forming graphene layer at inner peripheral surface of opening.

IRSIGLER P, RUHL G, SCHULZE H, SHULZ H, RUHR G, ILSGLLE P